BSS84X HZG Small Signal MOSFET

ROHM Semiconductor BSS84X HZG Small Signal MOSFET is offered in a leadless ultra-small package with an exposed drain pad for excellent thermal conduction. The BSS84X HZG Small Signal MOSFET features a -60V drain-source voltage, ±230mA continuous drain current, and 1.0W power dissipation. The BSS84X HZG is designed for switching circuits, high-side load switch, and relay driver applications.

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Cualificación
Empaquetado
ROHM Semiconductor MOSFET SOT323 P-CH 60V .21A
Hoja de datos
6.303En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT SOT-323-3 P-Channel 1 Channel 60 V 210 mA 5.3 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V - 55 C + 150 C 300 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor MOSFET MOSFET Pch -60V -0.23A, DriveVoltage:-4.5 DFN10103W
Hoja de datos
Comentarios de Producto
15.941Fecha prevista: 02/07/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 8.000

Si SMD/SMT DFN-1010-3 P-Channel 1 Channel 60 V 230 mA 5.3 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET AECQ
Hoja de datos
Comentarios de Producto
11.957Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 60 V 230 mA 5.3 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V - 55 C + 150 C 350 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape