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SIA427DJ-T1-GE3

Name: Vishay SIA427DJ-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 781-SIA427DJ-T1-GE3
Price: 0.92 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

781-SIA427DJ-T1-GE3

Fabr. N.º:

SIA427DJ-T1-GE3

Fabr.:

Vishay Semiconductors

Descripción:

MOSFET 8V 12A 19W 13mohms @ 4.5V

Hoja de datos:

SIA427DJ-T1-GE3 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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-,-- €

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	0,929 €	0,93 €
	0,664 €	6,64 €
	0,413 €	41,30 €
	0,285 €	142,50 €
	0,253 €	253,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,215 €	645,00 €
	0,184 €	1.104,00 €
	0,171 €	1.539,00 €
	0,154 €	3.696,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	SC-70-6
Polaridad de transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	8 V
Id: corriente de drenaje continuo:	12 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	95 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 5 V, 5 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	800 mV
Qg (carga de compuertas):	50 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	19 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	TrenchFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Vishay Semiconductors
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	SIA
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Alias de parte #:	SIA427DJ-GE3
Peso unitario:	11,688 g

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Hoja de datos

SIA427DJ-T1-GE3 Hoja de datos (PDF)

PCN

REACH Certificate (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

SiA427DJ 8V TrenchFET® Power MOSFETs

Vishay Semiconductors SiA427DJ 8V TrenchFET^® Power MOSFETs have the lowest on-resistance for a p-channel device in the thermally enhanced PowerPAK® SC-70 2mm by 2mm footprint area. The on-resistance of the SiA427DJ is up to 47% lower than the closest competing p-channel device. The 1.2V low on-resistance rating of SiA427DJ TrenchFET power MOSFETs makes them ideal for low bus voltages.