NXH300B100H4Q2F2 Q2BOOST Module

onsemi NXH300B100H4Q2F2 Q2BOOST Module offers three channels, higher output power, and easy module mounting. Each channel contains two 1000V, 100A IGBTs, two 1200V, 30A SiC diodes, and two 1600V, 30A bypass diodes. The Q2BOOST Module provides excellent efficiency and thermal losses, with the flexibility to support different manufacturing processes.

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Producto
Configuración
Voltaje colector-emisor VCEO máx.
Voltaje de saturación colector-emisor
Corriente continua del colector a 25 C
Corriente de fuga puerta-emisor
Pd (disipación de potencia)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Empaquetado
onsemi NXH300B100H4Q2F2S1G
onsemi Módulos IGBT PIM 1500V 250KW Q2BOOST 36En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Tray
onsemi NXH300B100H4Q2F2SG
onsemi Módulos IGBT MASS MARKET 250KW 1500V Q2 3 LEVEL BOOST
Hoja de datos
36En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
IGBT Modules Tray
onsemi NXH300B100H4Q2F2PG
onsemi Módulos IGBT MASS MARKET 250KW 1500V Q2 3 LEVEL BOOST
Hoja de datos
72Disponible de fábrica
Más información disponible
Mín.: 36
Múlt.: 36

SiC IGBT Modules Dual Common Source 1 kV 1.8 V 73 A 400 nA 194 W - 40 C + 150 C Tray