Bipolar Transistors

Toshiba Bipolar Transistors are pre-biased transistors designed for low noise and low saturation voltage applications. These bipolar transistors are AEC-Q101 qualified and offer PNP, NPN, NPN + NPN, PNP + PNP, and NPN + PNP polarities for operation. These transistors are available in 25MHz, 30MHz, 35MHz, 55MHz, 100MHz, 120MHz, 200MHz, and 300MHz transition frequency with 3 pin, 5pin, 6pin, and 8pin variants.

Tipos de Transistores

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Resultados: 103
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor
Toshiba Transistores bipolares - BJT NPN Epitaxial Transistor 21.125En existencias
39.000Fecha prevista: 27/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-346-3 NPN
Toshiba Transistores bipolares - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp 9.287En existencias
24.000Fecha prevista: 14/05/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT TO-236-3 NPN
Toshiba Transistores bipolares - BJT Bias Resistor Built-in transistor 6.212En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT TO-236MOD-3 NPN
Toshiba Transistores bipolares - BJT Transistor for Low Freq. Amplification 6.247En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT TO-236-3 NPN
Toshiba Transistores bipolares - BJT Transistor for Low Freq. Amplification 36.829En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SC-70-3 NPN
Toshiba Transistores bipolares - BJT USM PLN TRANSISTOR Pd=100mW F=80MHz 9.466En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SC-70-3 NPN

Toshiba Transistores bipolares - BJT Transistor for Low Freq. Amplification 16.653En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SC-70-3 NPN
Toshiba Transistores bipolares - BJT TRANS-SS NPN SOT323 120V 4.994En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT NPN
Toshiba Transistores bipolares - BJT USM PLN TRANSISTOR Pd=100mW F=1MHz 1.048En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT NPN

Toshiba Transistores bipolares - BJT Transistor for Low Freq. Amplification 8.123En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SC-75-3 NPN
Toshiba Transistores bipolares - BJT TRANS-SS NPN 3SMD 50V 3.421En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT NPN

Toshiba Transistores bipolares - BJT Dual Trans PNP x 2 SM6, -50V, -0.15A 9.118En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SM-6 PNP

Toshiba Transistores bipolares - BJT Dual Trans PNP x 2 SM6, -50V, -0.15A 5.194En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-26-6 PNP
Toshiba Transistores bipolares - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp 20.592En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT PNP
Toshiba Transistores bipolares - BJT US6 PLN TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz 7.385En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT US-6 PNP

Toshiba Transistores bipolares - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp 6.173En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-363-6 NPN, PNP
Toshiba Transistores bipolares - BJT NPN + NPN Ind. Transistor, VCEO=50V, IC=0.15A, hFE=120 to 400 in SOT-26 (SM6) package 14.545En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT US-6 NPN

Toshiba Transistores bipolares - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp 7.607En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-363-6 NPN

Toshiba Transistores bipolares - BJT Dual Trans NPN x 2 20V, 0.3A, SM6 7.572En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-26-6 NPN
Toshiba Transistores bipolares - BJT NPN + NPN Ind. Transistor, VCEO=20V, IC=0.3A, hFE=350 to 1200 in SOT-26 (SM6) package 2.992En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT US-6 NPN
Toshiba Transistores bipolares - BJT Dual Trans PNP x 2 US6, -50V, -0.15A 536En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT US-6 PNP
Toshiba Transistores bipolares - BJT Trans LFreq -120V PNP PNP -0.1A 6.249En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-25-5 PNP

Toshiba Transistores bipolares - BJT BJT NPN 0.15A 50V 24.317En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-23-3 NPN

Toshiba Transistores bipolares - BJT BJT PNP -0.15A -50V 8.863En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-23-3 PNP

Toshiba Transistores bipolares - BJT Transistor for Low Freq. Amplification 8.208En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-23-3 NPN