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NCV51561BBDWR2G

Name: onsemi NCV51561BBDWR2G
Brand: onsemi
SKU: 863-NCV51561BBDWR2G
Price: 3.54 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

863-NCV51561BBDWR2G

Fabr. N.º:

NCV51561BBDWR2G

Fabr.:

onsemi

Descripción:

Controladores de puerta con aislamiento galvánico 5 kVrms Isolated Dual Channel 4.5/9 A Automotive Gate Driver Automotive

Hoja de datos:

NCV51561BBDWR2G Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	3,54 €	3,54 €
	2,68 €	26,80 €
	2,47 €	61,75 €
	2,23 €	223,00 €
	2,12 €	530,00 €
	2,11 €	1.055,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1000)
	1,93 €	1.930,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Controladores de puerta con aislamiento galvánico
RoHS:
Serie:	NCV51561
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	SOIC-16
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 125 C
Retardo de propagación (máx.):	58 ns
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Número de controladores:	2 Driver
Número de salidas:	2 Output
Producto:	MOSFET Gate Drivers
Tipo de producto:	Galvanically Isolated Gate Drivers
Cantidad del paquete de fábrica:	1000
Subcategoría:	PMIC - Power Management ICs
Tensión del suministro - Máx:	5 V
Tensión del suministro - Mín:	3 V
Tecnología:	SiC
Tipo:	High-Side, Low-Side

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Hoja de datos

NCV51561BBDWR2G Hoja de datos

PCN

Material Composition Disclosure

Códigos de cumplimiento

USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Filipinas
País de origen del ensamblaje:: Filipinas
País de difusión:: Japón

El país puede cambiar en el momento del envío.

Pairing Gate Drivers with EliteSiC MOSFETs

Energy Infrastructure applications like EV charging, energy storage, Uninterruptible Power Systems (UPS), and solar are pushing system power levels to hundreds of kilowatts and even megawatts. These high-power applications employ half bridge, full bridge, and 3-phase topologies duty cycling up to six switches for inverters and BLDC. Depending on the power level and switching speeds, system designers look to various switch technologies, including silicon, IGBTs, and SiC, to best fit application requirements.

NCV51561 Isolated Dual Channel Gate Driver

onsemi NCV51561 Isolated Dual-Channel Gate Driver features a 4.5A source and 9A sink peak current with short and matched propagation delays. The NCV51561 is intended for fast switching to drive power MOSFETs and SiC MOSFET power switches.