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NTMTS0D7N04CTXG

Name: onsemi NTMTS0D7N04CTXG
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMTS0D7N04CTXG
Price: 3.2 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

863-NTMTS0D7N04CTXG

Fabr. N.º:

NTMTS0D7N04CTXG

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET AFSM T6 40V SG NCH

Hoja de datos:

NTMTS0D7N04CTXG Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	1,10 €	3.300,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	DFNW-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	40 V
Id: corriente de drenaje continuo:	420 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	670 uOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4 V
Qg (carga de compuertas):	140 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	205 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	20.4 ns
Transconductancia delantera: mín.:	200 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	18.1 ns
Serie:	NTMTS0D7N04C
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	61 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	28.9 ns
Peso unitario:	319,280 mg

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PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.

NTMTS0D7N04C 40V N-Channel Power MOSFET

onsemi NTMTS0D7N04C 40V N-Channel Power MOSFET is produced using onsemi’s advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process minimizes on-state resistance while maintaining superior switching performance with a leading soft body diode. The onsemi NTMTS0D7N04C offers 420A continuous drain current (I_D) and a low drain-to-source on-resistance (R_DS(on) of 0.67mΩ (max.).