MOSFET de potencia CE CoolMOS™

Los MOSFET de potencia CE CoolMOS™ de Infineon son una plataforma de tecnología MOFSET de potencia de alta tensión que están diseñados según el principio de máxima unión (SJ) y concebidos para cubrir las necesidades de los consumidores. La cartera de productos CE CoolMOS™ ofrece dispositivos de 500 V, 600 V y 650 V destinados a cargadores de baja potencia para dispositivos móviles y herramientas eléctricas, adaptadores para notebooks y ordenadores portátiles, e iluminación LCD, LED TV y LED. Esta nueva serie de CoolMOS™ ha optimizado los costes para satisfacer los requisitos habituales del consumidor sin comprometer la calidad y fiabilidad probadas de CoolMOS™ a la vez que resulta atractiva de precio.
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 25A TO220FP-3 CoolMOS CP
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 500
Múlt.: 500

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 110 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 70 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 25A TO220FP-3 CoolMOS CP
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 500
Múlt.: 500

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 110 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 70 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 600V 11A TO220FP-3 CoolMOS CP
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 13 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 270 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 29 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 600V 11A TO220FP-3 CoolMOS CP
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 13 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 270 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 29 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 15 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 1 Channel 650 V 10.1 A 1.4 Ohms - 20 V, 20 V 3 V 23 nC - 40 C + 150 C 86 W CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 21 Semanas
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 2.6 A 3.4 Ohms - 20 V, 20 V 3 V 4.6 nC - 40 C + 150 C 29 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 600V 25A TO220-3 CoolMOS CP
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 17 Semanas
Mín.: 500
Múlt.: 500

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 110 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 70 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 60A TO247-3 CoolMOS CP
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 13 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 60 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 190 nC - 55 C + 150 C 431 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 25A TO247-3 CoolMOS CP
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 13 Semanas
Mín.: 240
Múlt.: 240

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 110 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 70 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement CoolMOS Tube