MOSFET de potencia CE CoolMOS™

Los MOSFET de potencia CE CoolMOS™ de Infineon son una plataforma de tecnología MOFSET de potencia de alta tensión que están diseñados según el principio de máxima unión (SJ) y concebidos para cubrir las necesidades de los consumidores. La cartera de productos CE CoolMOS™ ofrece dispositivos de 500 V, 600 V y 650 V destinados a cargadores de baja potencia para dispositivos móviles y herramientas eléctricas, adaptadores para notebooks y ordenadores portátiles, e iluminación LCD, LED TV y LED. Esta nueva serie de CoolMOS™ ha optimizado los costes para satisfacer los requisitos habituales del consumidor sin comprometer la calidad y fiabilidad probadas de CoolMOS™ a la vez que resulta atractiva de precio.
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Resultados: 109
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 16A TO220-3 CoolMOS CP
Hoja de datos
375En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 180 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 60A TO247-3 CoolMOS CP
Hoja de datos
6En existencias
1.440Fecha prevista: 26/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 60 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 190 nC - 55 C + 150 C 431 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 600V 31A TO247-3 CoolMOS CP
Hoja de datos
94En existencias
240Fecha prevista: 09/07/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 80 nC - 55 C + 150 C 255 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 600V 31A TO247-3 CoolMOS CP
Hoja de datos
11En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 80 nC - 55 C + 150 C 255 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 25A TO247-3 CoolMOS CP
Hoja de datos
121En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 110 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 70 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 500V 32.4A TO220-3
Hoja de datos
198En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 14.1 A 350 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 24.8 nC - 55 C + 150 C 98 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 21A TO247-3 CoolMOS CP
Hoja de datos
207Fecha prevista: 05/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 21 A 165 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 39 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER
Hoja de datos
888Fecha prevista: 09/04/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 24.8 A 450 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 47.2 nC - 40 C + 150 C 32 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 500V 23A TO220FP-3 CoolMOS CP
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 500
Múlt.: 500

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 500 V 23 A 130 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 64 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 550V 23A D2PAK-2 CoolMOS CP
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 23 A 130 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 64 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 550V 17A D2PAK-2 CoolMOS CP
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 8 Semanas
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 17 A 180 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 45 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_LEGACY
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 8 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 650 V 16 A 199 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 11 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V TO-220FP-3
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 8 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 10.1 A 650 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 23 nC - 40 C + 150 C 28 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 31A D2PAK-2 CoolMOS CP
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 8 Semanas
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 80 nC - 40 C + 150 C 255 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 600V 25mA D2PAK-2 CoolMOS CP
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 8 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
Bobina: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 110 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 70 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement CoolMOS Reel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 600V 25mA D2PAK-2 CoolMOS CP
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 8 Semanas
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 110 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 70 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 600V 25A I2PAK-3 CoolMOS CP
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 500
Múlt.: 500

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 125 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 70 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 21A I2PAK-3
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 11 Semanas
Mín.: 500
Múlt.: 500

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 165 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 39 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 11A TO220-3 CoolMOS CP
Hoja de datos
Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 270 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 29 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 11A TO220-3 CoolMOS CP
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 270 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 29 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 9A TO220-3 CoolMOS CP
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 8 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 350 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 9A TO220-3 CoolMOS CP
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 8 Semanas
Mín.: 500
Múlt.: 500

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 350 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 600V 39A TO247-3 CoolMOS CP
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 8 Semanas
Mín.: 240
Múlt.: 240

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 39 A 68 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 116 nC - 55 C + 150 C 313 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 16A TO247-3 CoolMOS CP
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 8 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 180 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 500V 13A TO247-3 CoolMOS CP
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 13 A 220 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 36 nC - 55 C + 150 C 114 W Enhancement CoolMOS Tube