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SIA436DJ-T1-GE3

Name: Vishay SIA436DJ-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SIA436DJ-T1-GE3
Price: 0.86 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

78-SIA436DJ-T1-GE3

Fabr. N.º:

SIA436DJ-T1-GE3

Fabr.:

Vishay Semiconductors

Descripción:

MOSFET 8V Vds 5V Vgs PowerPAK SC-70

Hoja de datos:

SIA436DJ-T1-GE3 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	0,86 €	0,86 €
	0,536 €	5,36 €
	0,35 €	35,00 €
	0,27 €	135,00 €
	0,244 €	244,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,215 €	645,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	SC-70-6
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	8 V
Id: corriente de drenaje continuo:	12 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	9.4 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 5 V, 5 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	350 mV
Qg (carga de compuertas):	15 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	19 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	TrenchFET, PowerPAK
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Vishay Semiconductors
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	8 ns
Transconductancia delantera: mín.:	70 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	10 ns
Serie:	SIA
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	30 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	11 ns
Alias de parte #:	SIA436DJ-GE3
Peso unitario:	1 g

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SIA436DJ N-Channel 8V TrenchFET® MOSFET

Vishay / Siliconix SIA436DJ N-Channel 8V TrenchFET® MOSFET is offered in a compact PowerPAK SC-70 package to save PCB space in portable electronics. This MOSFET comes with on-resistance values that are 18% lower than previous generation solutions and up to 64% lower than the closest competing N-channel device in a 2mm x 2mm footprint area. This ultra-low on-resistance translates into lower conduction losses for reduced power consumption, in addition to a lower voltage drop across the load switch to prevent an unwanted undervoltage lockout. Vishay / Siliconix SiA436DJ on-resistance ratings are down to 1.2V, which simplifies circuit design by allowing the MOSFET to work with the low voltage power rails common in handheld devices, providing longer battery operation between charges.