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SICW028N120A4-BP

Name: Micro Commercial Components (MCC) SICW028N120A4-BP
Brand: Micro Commercial Components (MCC)
SKU: 833-SICW028N120A4-BP
Price: 17.53 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

833-SICW028N120A4-BP

Fabr. N.º:

SICW028N120A4-BP

Fabr.:

Micro Commercial Components (MCC)

Descripción:

MOSFET de SiC

Hoja de datos:

SICW028N120A4-BP Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	17,53 €	17,53 €
	13,83 €	138,30 €
	13,70 €	1.370,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Micro Commercial Components (MCC)
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247-4
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1.2 kV
Id: corriente de drenaje continuo:	80 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	30 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 5 V, + 22 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3 V
Qg (carga de compuertas):	168 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	375 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	Micro Commercial Components (MCC)
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	11 ns
Empaquetado:	Bulk
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	13 ns
Serie:	SICW028N120A4
Cantidad del paquete de fábrica:	1800
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo típico de retraso de apagado:	42.5 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	14 ns

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Hoja de datos

SICW028N120A4-BP Hoja de datos (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SICW028N120A4 1200V SiC MOSFET

Micro Commercial Components (MCC) SICW028N120A4 1200V SiC MOSFET is designed with a low on-resistance of just 28mΩ at a gate-source voltage of 18V. This N-channel MOSFET works well with the popular D2PAK 4-pin footprint and includes a Kelvin source pin to reduce switching losses and boost energy efficiency significantly. This SICW028N120A4 MOSFET features a high avalanche ruggedness and has the ability to operate at high junction temperatures of 175°C. This MOSFET ensures superior thermal performance and efficient heat management, eliminating the need for additional cooling components while increasing product reliability and lifespan. The SICW028N120A4 MOSFET is a robust and reliable solution for a host of industrial and commercial applications dealing in harsh environments.

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