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SISD5300DN-T1-GE3

Name: Vishay SISD5300DN-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SISD5300DN-T1-GE3
Price: 2.06 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

78-SISD5300DN-T1-GE3

Fabr. N.º:

SISD5300DN-T1-GE3

Fabr.:

Vishay / Siliconix

Descripción:

MOSFET PPAK1212 N-CH 30V 62A

Hoja de datos:

SISD5300DN-T1-GE3 Hoja de datos

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	PowerPAK 1212-F-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	30 V
Id: corriente de drenaje continuo:	198 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	870 uOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 12 V, 16 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2 V
Qg (carga de compuertas):	27 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	57 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Vishay / Siliconix
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	15 ns
Transconductancia delantera: mín.:	162 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	90 ns
Serie:	SISD
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tiempo típico de retraso de apagado:	32 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	26 ns

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JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

POWERPAK® 1212 MOSFETs

Vishay POWERPAK® 1212 MOSFETs are ideal for switching applications and boast a die-on resistance of approximately 1mΩ and can handle up to 85A. The Vishay POWERPAK 1212 introduces a packaging technology to mitigate the risk of degrading high-performance dies. This package offers ultra-low thermal impedance in a compact design, making it ideal for space-constrained applications.

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