Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Algunas funciones de esta página no funcionarán a menos que inicie sesión.

Volver a Resultados de la búsqueda

¿Ve algún error?

NTMFD5C672NLT1G

Name: onsemi NTMFD5C672NLT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFD5C672NLT1G
Price: 1.15 EUR
Availability: InStock

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

863-NTMFD5C672NLT1G

Fabr. N.º:

NTMFD5C672NLT1G

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET T6 60V LL S08FL DS

Hoja de datos:

NTMFD5C672NLT1G Hoja de datos

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Más información

Más información sobre onsemi NTMFD5C672NLT1G

En existencias: 1.115

Existencias:: 1.115 Puede enviarse inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.
Plazo de producción de fábrica:: 15 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	1,15 €	1,15 €
	0,725 €	7,25 €
	0,48 €	48,00 €
	0,375 €	187,50 €
	0,323 €	323,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1500)
	0,297 €	445,50 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	SO-8FL-4
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	60 V
Id: corriente de drenaje continuo:	49 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	11.9 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.2 V
Qg (carga de compuertas):	12.3 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	3.1 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Dual
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	MY
Tiempo de caída:	28 ns
Transconductancia delantera: mín.:	27.5 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	30 ns
Serie:	NTMFD5C672NL
Cantidad del paquete de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	22 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	11 ns

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla

Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

NTMFD5C672NLT1G Hoja de datos

PCN

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

NTMFD5C672NL Dual N-Channel Power MOSFET

onsemi NTMFD5C672NL Dual N-Channel Power MOSFET is designed for compact and efficient designs including high thermal performance. This MOSFET features low R_DS(on), low QG and capacitance, 60V drain to source voltage, 146A pulsed drain current, and -55°C to 175°C operating junction temperature range. The NTMFD5C672NL dual N-channel power MOSFET is Pb, Halogen/BFR free, and RoHS compliant. Typical applications include motor control, power switches (High-side driver, low-side driver, and H-bridges), synchronous DC to DC regulator, and battery management and protection.