Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Algunas funciones de esta página no funcionarán a menos que inicie sesión.

¿Ve algún error?

GS66502B-TR

Name: Infineon GS66502B-TR
Brand: Infineon Technologies
SKU: 499-GS66502B-TR
Price: 10.86 EUR
Availability: OutOfStock

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

499-GS66502B-TR

Fabr. N.º:

GS66502B-TR

Fabr.:

Infineon Technologies

Descripción:

FET de GaN 650V, 7.5A, Bottom-Side Cooled E-mode GaN Transistor

Hoja de datos:

GS66502B-TR Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Más información

Más información sobre Infineon Technologies GS66502B-TR

Disponibilidad

Existencias:: 0

Aún puede comprar este producto como pedido pendiente.

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.
Pedido:: 1.891
Plazo de producción de fábrica:: 53

Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

Las cantidades mayores que 1891 estarán sujetas a requisitos de pedido mínimo.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	10,86 €	10,86 €
	8,84 €	88,40 €
	7,37 €	737,00 €
	6,57 €	3.285,00 €
	6,30 €	6.300,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	5,35 €	16.050,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	FET de GaN
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Polaridad de transistor:	HEMT
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	7.5 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	260 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 10 V, 7 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.6 V
Qg (carga de compuertas):	1.6 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	GaNPX
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
Kit de desarrollo:	GS665MB-EVB
Frecuencia operativa máxima:	10 MHz
Frecuencia operativa mínima:	0 Hz
Sensibles a la humedad:	Yes
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Tipo de producto:	GaN FETs
Serie:	GS665xx
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo de transistor:	E-Mode

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla

Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

GS66502B-TR Hoja de datos (PDF)

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

GS665xx Enhancement-Mode Silicon Power Transistors

Infineon Technologies GS665xx Enhancement-Mode High Electron Mobility Transistors (E-HEMT) feature high current, high voltage breakdown, and high switching frequency. These power transistors include Island Technology cell layout with high-current die and high yield, and GaNPX^® small packaging enables low inductance and low thermal resistance. These power transistors offer very low junction-to-case thermal resistance for high-power applications. The GS665xx enhancement-mode silicon power transistors are available as bottom-sided or top-sided cooled transistors. These power transistors provide ultra-low FOM die, reverse current capability, and zero reverse recovery loss.