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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Producto
Configuración
Voltaje colector-emisor VCEO máx.
Voltaje de saturación colector-emisor
Corriente continua del colector a 25 C
Corriente de fuga puerta-emisor
Pd (disipación de potencia)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Empaquetado
Infineon Technologies FF1200R12IE5PBPSA1
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 1200 A dual IGBT module
Hoja de datos
2En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.7 V 1.2 kA 400 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FF1200R17IP5PBPSA1
Infineon Technologies Módulos IGBT 1700 V, 1200 A dual IGBT module
Hoja de datos
2En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.7 kV 1.75 V 1.2 kA 400 nA 1.2 MW - 40 C + 175 C Tray