MOSFET de carburo de silicio (SiC) NTH4L022N120M3S

Los MOSFET de carburo de silicio (SiC) NTH4L022N120M3S de onsemi forman una familia de MOSFET SiC planos M3S de 1200 V. El NTH4L022N120M3S de onsemi está optimizado para aplicaciones de conmutación rápida. La tecnología planar funciona de forma fiable con accionamientos de tensión de compuerta negativa y reduce los picos en la compuerta. Estos MOSFET ofrecen un rendimiento óptimo cuando se accionan con un controlador de compuerta de 18 V, pero también funcionan correctamente con un controlador de compuerta de 15 V.