P02SCT3040KR-EVK-001

ROHM Semiconductor
755-P02SCT3040KREVK1
P02SCT3040KR-EVK-001

Fabr.:

Descripción:
Herramientas de desarrollo IC de gestión de energía SiC MOSFET Eval Brd TO-247-4L H. Bridge

Ciclo de vida:
NRND:
No se recomienda para nuevos diseños.

En existencias: 4

Existencias:
4 Puede enviarse inmediatamente
Plazo de producción de fábrica:
12 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Las cantidades mayores que 4 estarán sujetas a requisitos de pedido mínimo.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
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Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
ROHM Semiconductor
Categoría de producto: Herramientas de desarrollo IC de gestión de energía
RoHS:  
Evaluation Boards
Gate Driver
12 V
SCT3080KR
Marca: ROHM Semiconductor
Empaquetado: Bulk
Tipo de producto: Power Management IC Development Tools
Cantidad del paquete de fábrica: 1
Subcategoría: Development Tools
Peso unitario: 1 kg
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Atributos seleccionados: 0

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TARIC:
8473302000
CNHTS:
8543709990
USHTS:
9030820000
ECCN:
EAR99

P02SCT3040KR-EVK-001 Half-Bridge Evaluation Board

ROHM P02SCT3040KR-EVK-001 Half-Bridge Evaluation Board is for the evaluation of the SCT3040KR, a 1200V 55A N-Channel SiC Power MOSFET. The evaluation board is based on the most common circuit configuration known as a half-bridge circuit. To obtain appropriate evaluation conditions with simple preparation, this board is equipped with an isolated power supply for the attached driver circuit. The board also includes an overcurrent protection circuit and a gate signal protection circuit.