IS43R32800D 8Mx32 256-Mbit DDR SDRAM

ISSI IS43R32800D 8Mx32 256-Mbit DDR SDRAM achieves high-speed data transfer using pipeline architecture and two data word accesses per clock cycle. The 268,435,456-bit memory array is internally organized as four banks of 64MB to allow concurrent operations. The pipeline allows Read and Write burst accesses to be virtually continuous, with the option to concatenate or truncate the bursts. The programmable features of burst length, burst sequence, and CAS latency enable further advantages.

Resultados: 76
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tipo
Tamaño de memoria
Anchura de bus de datos
Frecuencia máxima de reloj
Empaquetado / Estuche
Organización
Tiempo de acceso
Tensión del suministro - Mín
Tensión del suministro - Máx
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Serie
Empaquetado
ISSI DRAM 256M (16Mx16) 166MHz 2.5v DDR SDRAM
Hoja de datos
349En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 37

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-66 16 M x 16 6 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R16160D Tray
ISSI DRAM 256M (16Mx16) 166MHz 2.5v DDR SDRAM
Hoja de datos
20En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 200

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-66 16 M x 16 6 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16160D Tray
ISSI DRAM 256M, 2.5V, 200Mhz 16Mx16 DDR SDRAM
Hoja de datos
58En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 200

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 16 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS46R16160D Tray
ISSI DRAM 512M (32Mx16) 200MHz 2.5v DDR SDRAM
Hoja de datos
61En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 200

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16320D Tray
ISSI DRAM 512M (32Mx16) 166MHz 2.5v DDR SDRAM
Hoja de datos
28En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 200

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 6 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16320D Tray
ISSI DRAM 512M (32Mx16) 166MHz 2.5v DDR SDRAM
Hoja de datos
18En existencias
324Fecha prevista: 09/04/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 89

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 6 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R16320D Tray
ISSI DRAM 512M (64Mx8) 200MHz 2.5v DDR SDRAM
Hoja de datos
96En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz TSOP-II-66 64 M x 8 5 ns 2.5 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R86400D Tray
ISSI DRAM 512M (64Mx8) 166MHz 2.5v DDR SDRAM
Hoja de datos
33En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 10

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 166 MHz TSOP-II-66 64 M x 8 6 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R86400D Tray
ISSI DRAM 256M (16Mx16) 200MHz 2.5v DDR SDRAM
Hoja de datos
5En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM - DDR 256 Mbit 32 bit 200 MHz LFBGA-144 8 M x 32 5 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R32800D Tray
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 200MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 8 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
Bobina: 2.500

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz BGA-60 32 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R16320D Reel
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 8 Semanas
Mín.: 1.500
Múlt.: 1.500
Bobina: 1.500

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R16320D Reel
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 166MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 8 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
Bobina: 2.500

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-60 32 M x 16 6 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R16320D Reel
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 166MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 1.500
Múlt.: 1.500
Bobina: 1.500

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 6 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R16320D Reel
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 200MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 8 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
Bobina: 2.500

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-60 64 M x 8 5 ns 2.5 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R86400D Reel
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 8 Semanas
Mín.: 1.500
Múlt.: 1.500
Bobina: 1.500

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz TSOP-II-66 64 M x 8 5 ns 2.5 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R86400D Reel
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 166MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 8 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
Bobina: 2.500

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 166 MHz BGA-60 64 M x 8 6 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R86400D Reel
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 166MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 8 Semanas
Mín.: 1.500
Múlt.: 1.500
Bobina: 1.500

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 166 MHz TSOP-II-66 64 M x 8 6 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R86400D Reel
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 256M, 2.5V, DDR1, 64Mx8, 166MHz, 60 ball FBGA RoHS, T&R
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 10 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
Bobina: 2.500

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-60 16 M x 16 6 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 105 C IS46R16160D Reel
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 256M, 2.5V, DDR1, 64Mx8, 166MHz, 66 pin TSOP-II RoHS, T&R
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 10 Semanas
Mín.: 1.500
Múlt.: 1.500
Bobina: 1.500

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-66 16 M x 16 6 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 105 C IS46R16160D Reel
ISSI DRAM 256M (16Mx16) 200MHz 2.5v DDR SDRAM
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 8 Semanas
Mín.: 190
Múlt.: 190

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 200 MHz FBGA-60 16 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16160D Tray
ISSI DRAM 256M (16Mx16) 200MHz 2.5v DDR SDRAM
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 8 Semanas
Mín.: 190
Múlt.: 190

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 200 MHz FBGA-60 16 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R16160D Tray
ISSI DRAM 256M (16Mx16) 200MHz 2.5v DDR SDRAM
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 8 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 16 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16160D Tray
ISSI DRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT
Hoja de datos
Plazo producción 8 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 16 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R16160D Tray
ISSI DRAM 256M (16Mx16) 166MHz 2.5v DDR SDRAM
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 8 Semanas
Mín.: 190
Múlt.: 190

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 166 MHz FBGA-60 16 M x 16 6 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16160D Tray
ISSI DRAM 256M (16Mx16) 166MHz 2.5v DDR SDRAM
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 8 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 5

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 166 MHz FBGA-60 16 M x 16 6 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R16160D Tray