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CGHV38375F

Name: MACOM CGHV38375F
Brand: MACOM
SKU: 941-CGHV38375F
Price: 1021.54 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

941-CGHV38375F

Fabr. N.º:

CGHV38375F

Fabr.:

MACOM

Descripción:

FET de GaN Amplifier, 375W, 2.7-3.8GHz, GaN, 50V

Hoja de datos:

CGHV38375F Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	MACOM
Categoría de producto:	FET de GaN
Restricciones de envío:	Este producto puede requerir documentación adicional para las exportaciones a los Estados Unidos.
RoHS:
Estilo de montaje:	Screw Mount
Empaquetado / Estuche:	440226
Polaridad de transistor:	N-Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	125 V
Id: corriente de drenaje continuo:	24 A
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 125 C
Marca:	MACOM
Ganancia:	11 dB
Frecuencia operativa máxima:	3.75 GHz
Frecuencia operativa mínima:	2.75 GHz
Energía de salida:	400 W
Empaquetado:	Tray
Tipo de producto:	GaN FETs
Cantidad del paquete de fábrica:	10
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo de transistor:	HEMT
Vgs (tensión de separación compuerta-fuente):	- 10 V, 2 V

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900

Transistor en SiC IM de GaN de 400 W CGHV38375F

El transistor en SiC de GaN con adaptación interna (IM-FET) de 2,75 GHz a 3,75 GHz CGHV38375F de Wolfspeed ofrece un HPA de 400 W adaptado a 50 ohmios tanto en los puertos de entrada como en los de salida. El CGHV38375F funciona con una cobertura de expansión de 2,75 GHz a 3,75 GHz en toda la banda de radar S-Band.