FET eMode GaN

Nexperia eMode GaN FETs come in a voltage range from 100V to 650V with superior switching performance. These GaN FETs offer fast transition capabilities through their low QC and QOSS values, resulting in excellent power efficiency.

Resultados: 12
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Nexperia FET de GaN GANE140-700BBA/SOT428/DPAK
Hoja de datos
1.976En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 17 A 140 mOhms 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement
Nexperia FET de GaN GANE350-650FBA/SOT8075/DFN5060
Hoja de datos
1.945En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

SMD/SMT DFN-5 P-Channel 1 Channel 650 V 6 A 350 mOhms 7 V 2.5 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 65 W Enhancement
Nexperia FET de GaN GANE350-700BBA/SOT428/DPAK
Hoja de datos
1.904En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 6 A 350 mOhms 7 V 2.5 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 47 W Enhancement
Nexperia FET de GaN GANE190-700BBA/SOT428/DPAK
Hoja de datos
1.976En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 11.5 A 190 mOhms 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 84 W Enhancement
Nexperia FET de GaN GANE240-700BBA/SOT428/DPAK
Hoja de datos
2.000En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 10 A 240 mOhms 7 V 2.5 V 2 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement
Nexperia FET de GaN SOT8074 650V 17A FET
Hoja de datos
2.060En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 140 mOhms 1.2 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement
Nexperia FET de GaN SOT8075 650V 17A FET
Hoja de datos
1.728En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

SMD/SMT DFN-5060-5 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 140 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement
Nexperia FET de GaN SOT8072 100V 60A FET
Hoja de datos
1.705En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.500

SMD/SMT WLCSP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 60 A 3.2 mOhms - 6 V, + 6 V 2.5 V 12 nC - 40 C + 150 C 394 W Enhancement
Nexperia FET de GaN SOT8073 150V 28A FET
Hoja de datos
4.698En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

SMD/SMT FCLGA-3 N-Channel 1 Channel 150 V 28 A 7 mOhms - 6 V, + 6 V 2.1 V 7.6 nC - 40 C + 150 C 28 W Enhancement
Nexperia FET de GaN SOT8074 650V 29A FET
Hoja de datos
286En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 80 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 6.2 nC - 55 C + 150 C 188 W Enhancement
Nexperia FET de GaN SOT8074 650V 11.5A FET
Hoja de datos
720En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 190 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement
Nexperia FET de GaN SOT8075 650V 11.5A FET
Hoja de datos
2.483Fecha prevista: 23/02/2026
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

SMD/SMT DFN-5060-5 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 190 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement