SiC Schottky Barrier Diodes

Toshiba SiC Schottky Barrier Diodes (SBDs) feature high reverse voltage ratings and short reverse recovery time (trr). Toshiba also provides 650V SBDs with a junction barrier Schottky (JBS) structure for low leakage current (Ir) and high surge current capability. These devices improve the efficiency of switched-mode power supplies.

Resultados: 24
Seleccionar Imagen Número de referencia
 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Configuración
If - Corriente delantera
Vrrm - Tensión inversa repetitiva
Vf - Tensión delantera
Ifsm - Corriente de sobretensión delantera
Ir - Corriente inversa
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Empaquetado
Toshiba Diodos Schottky de SiC SCHOTTKY BARRIER DIODE TO-247 V=650 IF=16A
Hoja de datos
29En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 16 A 650 V 1.6 V 130 A 400 nA + 175 C Tube
Toshiba Diodos Schottky de SiC V=650 IF=8A
Hoja de datos
7En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220-2 Single 8 A 650 V 1.45 V 69 A 400 nA + 175 C Tube
Toshiba Diodos Schottky de SiC RECT 650V 10A RDL SIC SKY
Hoja de datos
97En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220F-2L Single 10 A 650 V 1.45 V 79 A 500 nA + 175 C Tube
Toshiba Diodos Schottky de SiC SiC Schottky barrier diode;TO-247-2L; Vrrm=1200V; IF=40A; PD=454W
Hoja de datos
58En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-2L Single 102 A 1.2 kV 1.27 V 1.91 kA 3.6 uA + 175 C Tube
Toshiba Diodos Schottky de SiC RECT 1.2KV 38A RDL SIC SKY
Hoja de datos
36En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-2 Single 38 A 1.2 kV 1.27 V 690 A 1 uA - 55 C + 175 C Tube

Toshiba Diodos Schottky de SiC RECT 1.2KV 18A RDL SIC SKY
Hoja de datos
36En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 Common Anode 36 A 1.2 kV 1.27 V 820 A 500 nA - 55 C + 175 C Tube
Toshiba Diodos Schottky de SiC RECT 1.2KV 61A RDL SIC SKY
Hoja de datos
68En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-2 Single 61 A 1.2 kV 1.27 V 1.08 kA 2 uA - 55 C + 175 C Tube

Toshiba Diodos Schottky de SiC RECT 1.2KV 32A RDL SIC SKY
Hoja de datos
24En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 Common Anode 64 A 1.2 kV 1.27 V 1.38 kA 1 uA - 55 C + 175 C Tube
Toshiba Diodos Schottky de SiC RECT 1.2KV 30A RDL SIC SKY
Hoja de datos
67En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-2L Single 83 A 1.2 kV 1.27 V 1.63 kA 2.8 uA + 175 C
Toshiba Diodos Schottky de SiC SCHOTTKY BARRIER DIODE TO-247 V=650 IF=24A
Hoja de datos
85En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 24 A 650 V 1.6 V 184 A 600 nA + 175 C Tube
Toshiba Diodos Schottky de SiC SCHOTTKY BARRIER DIODE TO-247 V=650 IF=12A
Hoja de datos
11En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 12 A 650 V 1.6 V 104 A 300 nA + 175 C Tube
Toshiba Diodos Schottky de SiC RECT 1.2KV 15A RDL SIC SKY
Hoja de datos
15En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-2 Single 50 A 1.2 kV 1.27 V 940 A 1.4 uA - 55 C + 175 C Tube

Toshiba Diodos Schottky de SiC RECT 1.2KV 25A RDL SIC SKY
Hoja de datos
15En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 Common Anode 50 A 1.2 kV 1.27 V 1.06 kA 700 nA - 55 C + 175 C Tube
Toshiba Diodos Schottky de SiC RECT 650V 10A RDL SIC SKY
Hoja de datos
60En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 20 A 650 V 1.6 V 158 A 500 nA + 175 C Tube
Toshiba Diodos Schottky de SiC RECT 650V 2A RDL SIC SKY
Hoja de datos
5En existencias
300Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220F-2L Single 2 A 650 V 1.45 V 21 A 200 nA + 175 C Tube
Toshiba Diodos Schottky de SiC RECT 650V 4A RDL SIC SKY
Hoja de datos
115En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220F-2L Single 4 A 650 V 1.45 V 37 A 200 nA + 175 C Tube
Toshiba Diodos Schottky de SiC RECT 650V 6A RDL SIC SKY
Hoja de datos
160En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220F-2L Single 6 A 650 V 1.45 V 52 A 300 nA + 175 C Tube
Toshiba Diodos Schottky de SiC RECT 650V 12A RDL SIC SKY
Hoja de datos
100Fecha prevista: 17/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220F-2L Single 12 A 650 V 1.45 V 92 A 600 nA + 175 C Tube
Toshiba Diodos Schottky de SiC RECT 650V 10A RDL SIC SKY
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220F-2L Single 10 A 650 V 1.45 V 83 A 500 nA + 175 C Tube
Toshiba Diodos Schottky de SiC RECT 650V 12A RDL SIC SKY
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220F-2L Single 12 A 650 V 1.45 V 97 A 600 nA + 175 C Tube
Toshiba Diodos Schottky de SiC RECT 650V 3A RDL SIC SKY
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220F-2L Single 3 A 650 V 1.45 V 27 A 200 nA + 175 C Tube
Toshiba Diodos Schottky de SiC RECT 650V 4A RDL SIC SKY
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220F-2L Single 4 A 650 V 1.45 V 39 A 200 nA + 175 C Tube
Toshiba Diodos Schottky de SiC V=650 IF=6A
Hoja de datos
Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220-2 Single 6 A 650 V 1.45 V 55 A 300 nA + 175 C Tube
Toshiba Diodos Schottky de SiC RECT 650V 8A RDL SIC SKY
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220F-2L Single 8 A 650 V 1.45 V 65 A 400 nA + 175 C Tube