Wireless Driver Amplifiers

Infineon Technologies Wireless Driver Amplifiers can be used as pre-drivers or drivers in RF applications from massive MIMO 5G base stations to small cells and access points. The tiny but mighty amplifiers typically sit between transceiver IC and power amplifier but can also be used as power amplifiers for low-power applications. The Infineon Technologies Driver Amplifiers boast high linearity and an excellent wide-band gain flatness for optimum linearization results of the driven PA.

Resultados: 7
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Frecuencia de operación Voltaje operativo de suministro Corriente de suministro operativa Ganancia NF - Valor de ruido Tipo Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Tecnología P1dB - Punto de compresión OIP3 - Interceptación de tercer pedido Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Empaquetado
Infineon Technologies Amplificador de RF WIRELESS INFRASTRUCTURE 5.932En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 6.000

3.1 GHz to 4.2 GHz 4.75 V to 5.25 V 38.5 dB 3.3 dB Driver Amplifiers SMD/SMT VQFN-24 31 dBm 41.1 dBm - 40 C + 115 C Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Amplificador de RF WIRELESS INFRASTRUCTURE 1.999En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

2.3 GHz to 2.7 GHz 3.3 V 34.4 dB 3.5 dB Power Amplifiers TSNP-16 SiGe 32.2 dBm - 40 C + 115 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Amplificador de RF WIRELESS INFRASTRUCTURE 1.996En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

2.3 GHz to 2.7 GHz 4.75 V to 5.25 V 35.1 dB 3.4 dB Power Amplifiers SMD/SMT TSNP-16 Si 28.9 dBm 34.3 dBm - 40 C + 115 C Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Amplificador de RF WIRELESS INFRASTRUCTURE 1.995En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

3.3 MHz to 4.2 MHz 4.75 V to 5.25 V 35.2 dB 3.1 dB Power Amplifiers SMD/SMT TSNP-16 Si 28.5 dBm 34.5 dBm - 40 C + 115 C Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Amplificador de RF WIRELESS INFRASTRUCTURE 1.984En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

2.3 GHz to 2.7 GHz 4.75 V to 5.25 V 34.8 dB 3.8 dB Power Amplifiers SMD/SMT TSNP-16 Si 28.9 dBm 34.2 dBm - 40 C + 115 C Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Amplificador de RF WIRELESS INFRASTRUCTURE 1.082En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

3.3 GHz to 4.2 GHz 4.75 V to 5.25 V 35 dB 3.2 dB Power Amplifiers SMD/SMT TSNP-16 Si 28.5 dBm 34.1 dBm - 40 C + 115 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Amplificador de RF WIRELESS INFRASTRUCTURE No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 2.000
Múlt.: 2.000
Bobina: 2.000

3.3 GHz to 4.2 GHz 3.15 V to 3.45 V 1.7 mA 34.4 dB 3.5 dB Power Amplifiers SMD/SMT TSNP-16 SiGe 27.8 dBm 37 dBm - 40 C + 115 C Reel