Resultados: 16
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Nombre comercial Empaquetado
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 15V-30V 5.069En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 30 V 253 A 850 uOhms - 16 V, 16 V 2 V 64 nC - 55 C + 150 C 89 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 15V-30V 3.602En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 25 V 40 A 960 uOhms - 16 V, 16 V 2 V 92 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 15V-30V 4.532En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TTFN-9 N-Channel 1 Channel 25 V 789 A 290 uOhms - 16 V, 16 V 2 V 88 nC - 55 C + 150 C 333 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 15V-30V 6.744En existencias
6.000Fecha prevista: 25/02/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 6.000
Si SMD/SMT WHTFN-9 N-Channel 1 Channel 25 V 47 A 580 uOhms - 16 V, 16 V 2 V 82 nC - 55 C + 150 C 2.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 15V-30V 2.425En existencias
3.600Fecha prevista: 24/04/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 6.000
Si SMD/SMT WHSON-8 N-Channel 1 Channel 25 V 47 A 580 uOhms - 16 V, 16 V 2 V 82 nC - 55 C + 150 C 2.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 15V-30V 225En existencias
15.000Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TTFN-9 N-Channel 1 Channel 30 V 700 A 350 uOhms - 20 V, 20 V 2 V 91 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 8.621En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 1.6 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 44 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS 34.180En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 40 A 4.6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 17 nC - 55 C + 150 C 37 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 15V-30V 2.210En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 30 V 253 A 850 uOhms - 16 V, 16 V 2 V 64 nC - 55 C + 150 C 89 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS 5.535En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 49 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 10 nC - 55 C + 150 C 26 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
45.747Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 149 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 44 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
10.000Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 230 A 1.1 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 72 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 15V-30V
12.480Fecha prevista: 23/07/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 72 A 3.7 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 11.1 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 15V-30V
11.972Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 40 A 4.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 11 nC - 55 C + 150 C 27 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 5 low-voltage power MOSFET 30 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down center-gate package with best-price performance
5.000Fecha prevista: 07/05/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TTFN-9 N-Channel 1 Channel 30 V 224 A 1.15 mOhms 16 V 2 V 40 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 5 low-voltage power MOSFET 30 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down dual-side cooled package with best-price performance
6.000Fecha prevista: 21/05/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 6.000

Si SMD/SMT WHTFN-9 N-Channel 1 Channel 30 V 224 A 1.15 mOhms 16 V 2 V 40 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape