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RS6N120BHTB1

Name: ROHM Semiconductor RS6N120BHTB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RS6N120BHTB1
Price: 3.14 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

755-RS6N120BHTB1

Fabr. N.º:

RS6N120BHTB1

Fabr.:

ROHM Semiconductor

Descripción:

MOSFET Nch 80V 135A, HSOP8, Power MOSFET: RS6N120BH is a power MOSFET with low-on resistance and high power package, suitable for switching.

Hoja de datos:

RS6N120BHTB1 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Pedido:: 2.500

Fecha prevista: 28/05/2026
Plazo de producción de fábrica:: 18

Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

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Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	3,14 €	3,14 €
	2,05 €	20,50 €
	1,60 €	160,00 €
	1,34 €	670,00 €
	1,17 €	1.170,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)
	1,17 €	2.925,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	HSOP-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	80 V
Id: corriente de drenaje continuo:	135 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	3.3 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4 V
Qg (carga de compuertas):	53 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	104 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	35 ns
Transconductancia delantera: mín.:	42 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	47 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	73 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	32 ns

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Atributos seleccionados: 0

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Specification Sheets

Datasheet - Chinese (English language)

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

RS6N120BH N-Channel Power MOSFET

ROHM Semiconductor RS6N120BH N-Channel Power MOSFET is a compact low-loss MOSFET featuring a Cu clip structure contributing to high-efficiency operation. The system increases current capacity while reducing package resistance. This feature makes the RS6N120BH ideal for drive applications that operate on 24V/36V/48V power supplies.

RS6/RH6 Cu-Clip Package N-Channel Power MOSFETs

ROHM Semiconductor RS6/RH6 Cu-Clip Package N-Channel Power MOSFETs enable high current handling capability with reduced package resistance. The HSOP-8 and HSMT-8 packaged components provide simultaneous low ON-resistance and gate charge capacitance, minimizing energy loss. Operating within a -55°C to +150°C temperature range, these MOSFETs are ideal for drive applications that operate on 24V/36V/48V power supplies.