Resultados: 8
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Empaquetado
onsemi MOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE 2.494En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 233 A 1.05 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 49.1 nC - 55 C + 175 C 104 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE 5.932En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 111 A 2.35 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 22.1 nC - 55 C + 175 C 53 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE 119En existencias
7.500Fecha prevista: 19/06/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 414 A 520 uOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 97.5 nC - 55 C + 175 C 163 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE 245En existencias
1.500Fecha prevista: 21/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 195 A 1.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 38.5 nC - 55 C + 175 C 90 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE 35En existencias
4.500Fecha prevista: 08/06/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 380 A 570 uOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 86.4 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE 54En existencias
21.000Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 323 A 700 uOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 72.1 nC - 55 C + 175 C 134 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE 51En existencias
1.500Fecha prevista: 24/07/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 83 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 15.6 nC - 55 C + 175 C 39 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE 102En existencias
6.000Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 390
: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 509 A 420 uOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 133 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement Reel, Cut Tape