GaN N-Channel FETs

Central Semiconductor GaN N-Channel FETs excel in high voltage and low RDS(ON), making them ideal for efficient soft-switching applications. Central Semiconductor GaN FETs come in 100V (60A), 150V (60A), 650V (11A), 650V (17A), and 700V (18A) versions. The devices are available in practical surface-mount, chip-scale packages, and bare dies. Ideally, these FETs are used in switch-mode power supplies, high-power chargers, and Electric Vehicle (EV) inverters.

Resultados: 7
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Central Semiconductor FET de GaN 650V, 29A, N-Channel Chip, GaN FET, DFN5X6A Package, 13"
Hoja de datos
2.483En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 80 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 6.2 nC - 55 C + 150 C Depletion
Central Semiconductor FET de GaN 100A,150V Surface mount N-Channel GaN MOSFET
Hoja de datos
2.500En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

SMD/SMT CSP-25 N-Channel 1 Channel 150 V 100 A 3.9 mOhms - 4 V, + 6 V 2.1 V 20 nC - 40 C + 150 C 200 mW Enhancement
Central Semiconductor FET de GaN 150V, 60A, N-Channel Chip, GaN FET, CSP4X6 Package, 7"
Hoja de datos
2.493En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

SMD/SMT CSP-25 N-Channel 1 Channel 150 V 60 A 7 mOhms - 4 V, + 6 V 13 nC - 40 C + 150 C 200 mW
Central Semiconductor FET de GaN 700V, 18A, N-Channel Chip, GaN FET, DFN5X6A Package, 13"
Hoja de datos
2.468En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 700 V 18 A 140 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 155 C 113 W Depletion
Central Semiconductor FET de GaN 100V, 60A, N-Channel Chip Scale GaNFET
Hoja de datos
1.369En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.500

SMD/SMT CSP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 60 A 5.5 mOhms - 4 V, + 6 V 2.5 V 9.2 nC - 40 C + 150 C 1.1 W
Central Semiconductor FET de GaN 650V, 11A, N-Channel GaN FET
Hoja de datos
2.157En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 190 mOhms - 1.4 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 84 W Depletion
Central Semiconductor FET de GaN 650V, 17A, N-Channel GaN FET
Hoja de datos
2.438En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 140 mOhms - 1.4 V, + 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 113 W Depletion