MMBT5551W NPN Silicon High-Voltage Transistors

PANJIT MMBT5551W NPN Silicon High-Voltage Transistors offer a collector-emitter voltage (VCE) of 160V and a collector current (IC) rating of 600mA. The PANJIT MMBT5551W is suitable for a wide range of electronic applications. This transistor is environmentally friendly, lead-free, and complies with EU RoHS 2.0 regulations. Additionally, it features a green molding compound that meets the IEC 61249 standard.

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Configuración
Voltaje colector-emisor VCEO máx.
Voltaje colector-base VCBO
Voltaje emisor-base VEBO
Voltaje de saturación colector-emisor
Pd (disipación de potencia)
Producto fT para ganancia de ancho de banda
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Cualificación
Empaquetado
Panjit Transistores bipolares - BJT NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR,AEC-Q101 qualified
Hoja de datos
26.735En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT SOT-323-3 NPN Single 160 V 180 V 6 V 200 mV 200 mW 300 MHz - 55 C + 150 C AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistores bipolares - BJT NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
Hoja de datos
29.441En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT SOT-323-3 NPN Single 160 V 180 V 6 V 200 mV 200 mW 300 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel