Resultados: 23
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Cualificación
Nombre comercial
Empaquetado

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 31.2A TO247-3
Hoja de datos
579En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 31.2 A 99 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 118 nC - 40 C + 150 C 277.8 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 600V 31A D2PAK-2 CoolMOS CPA
Hoja de datos
3.198En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 80 nC - 40 C + 150 C 255 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 6A D2PAK-2
Hoja de datos
918En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 6 A 594 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 20 nC - 40 C + 150 C 62.5 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 99.6A D2PAK-2
Hoja de datos
534En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 31.2 A 99 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 118 nC - 40 C + 150 C 277.8 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 11.4A D2PAK-2
Hoja de datos
2.513En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 11.4 A 280 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 41 nC - 40 C + 150 C 104.2 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 600V 60A TO247-3 CoolMOS CPA
Hoja de datos
314En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 60 A 45 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 190 nC - 40 C + 150 C 431 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 600V 31A D2PAK-2 CoolMOS CPA
Hoja de datos
470En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 80 nC - 40 C + 150 C 255 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 6A DPAK-2
Hoja de datos
3.556En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 6 A 594 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 20 nC - 40 C + 150 C 62.5 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 43.3A TO247-3
Hoja de datos
381En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 43.3 A 72 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 161 nC - 40 C + 150 C 391 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 43.3A TO247-3
Hoja de datos
565En existencias
480Fecha prevista: 24/12/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 43.3 A 72 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 161 nC - 40 C + 150 C 391 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 57.2A D2PAK-2
Hoja de datos
768En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 17.5 A 171 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 68 nC - 40 C + 150 C 151 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 57.2A D2PAK-2
Hoja de datos
775En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 17.5 A 171 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 68 nC - 40 C + 150 C 151 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 11.4A D2PAK-2
Hoja de datos
30En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 11.4 A 280 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 41 nC - 40 C + 150 C 104.2 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS
Hoja de datos
277En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 80 nC - 40 C + 150 C 255 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 22.4A TO247-3
Hoja de datos
143En existencias
240Fecha prevista: 11/06/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 22.4 A 150 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 86 nC - 40 C + 150 C 195.3 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS
Hoja de datos
46En existencias
720Fecha prevista: 26/05/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 80 nC - 40 C + 150 C 255 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 31.2A TO247-3
Hoja de datos
201En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 31.2 A 99 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 118 nC - 40 C + 150 C 277.8 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 31.2A TO220-3
Hoja de datos
2.500Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 31.2 A 110 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 118 nC - 40 C + 150 C 277.8 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 63.3A TO247-3
Hoja de datos
218Fecha prevista: 26/05/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 63.3 A 43 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 270 nC - 40 C + 150 C 500 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 63.3A TO247-3
Hoja de datos
240Fecha prevista: 26/05/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 63.3 A 43 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 270 nC - 40 C + 150 C 500 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 99.6A D2PAK-2
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 8 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 31.2 A 99 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 118 nC - 40 C + 150 C 277.8 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Reel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 6A DPAK-2
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 18 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 6 A 594 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 20 nC - 40 C + 150 C 62.5 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Reel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 8.7A DPAK-2
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 18 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 8.7 A 420 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 32 nC - 55 C + 175 C 83.3 W Enhancement AEC-Q100 CoolMOS Reel