NXH40B120MNQ0SNG

Módulo MOSFET SiC completo NXH40B120MNQ0

El módulo MOSFET SiC completo NXH40B120MNQ0 de onsemi contiene una etapa de doble impulso que consta   de dos MOSFET SiC de 40 mΩΩ/ 1200 V y dos diodos SiC de 40 A/1200 V. Estos MOSFET SiC y diodos SiC integrados proporcionan pérdidas de conducción y pérdidas de conmutación inferiores, lo que permite a los diseñadores lograr una alta eficiencia y una fiabilidad superior. El módulo MOSFET SiC completo NXH40B120MNQ0 contiene dos rectificadores de derivación adicionales de 50 A/1200 V utilizados para el límite de corriente de arranque y un termistor integrado. Este módulo MOSFET SiC completo ofrece una baja recuperación inversa y diodos SiC de conmutación rápida, una distribución inductiva baja, pines de soldadura y un termistor. El módulo MOSFET SiC completo NXH40B120MNQ0 es ideal para su uso en inversores solares y fuentes de alimentación ininterrumpibles.