High-Performance SiC FETs

onsemi High-Performance SiC FETs deliver best-in-class switching speed, lower switching losses, higher efficiency, and excellent cost-effectiveness. The components are offered in standard thru-hole (including Kelvin) and surface mount packages. The family comprises the UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C, and UF3C/SC series and is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device.

Resultados: 71
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Cualificación
Nombre comercial
onsemi MOSFET de SiC 650V/7MOSICFETG3TO247-4
Hoja de datos
255En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 120 A 9 mOhms - 12 V, + 12 V 6 V 214 nC - 55 C + 175 C 789 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 1200V/16MOSICFETG3TO247-3
Hoja de datos
205En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 107 A 21 mOhms - 20 V, + 20 V 4 V 218 nC - 55 C + 175 C 517 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 650V/30MOSICFETG3TO247
Hoja de datos
130En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 1200V/40MOSICFETG3TO263-7
Hoja de datos
270En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 47 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 43 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 750V/5MOSICFETG4TOLL
Hoja de datos
1.448En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

SMD/SMT MO-229-8 N-Channel 1 Channel 750 V 120 A 5 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 164 nC - 55 C + 175 C 1.153 kW Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 750V/8MOSICFETG4TOLL
Hoja de datos
1.424En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

SMD/SMT MO-229-8 N-Channel 1 Channel 750 V 106 A 8 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 750V/18MOSICFETG4TOLL
Hoja de datos
1.725En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

SMD/SMT MO-229-8 N-Channel 1 Channel 750 V 53 A 18 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 349 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 750V/33MOSICFETG4TOLL
Hoja de datos
2.815En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

SMD/SMT MO-229-8 N-Channel 1 Channel 750 V 44 A 33 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 750V/44MOSICFETG4TOLL
Hoja de datos
2.844En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

SMD/SMT MO-229-8 N-Channel 1 Channel 750 V 35.6 A 44 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 181 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 750V/60MOSICFETG4TOLL
Hoja de datos
3.950En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

SMD/SMT MO-229-8 N-Channel 1 Channel 750 V 27.8 A 58 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 155 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 1200V/400MOSICFETG3TO263-7
Hoja de datos
1.956En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 5.9 A 410 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 22.5 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 1700V/400MOSICFETG3TO2
Hoja de datos
1.341En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 7.6 A 410 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 23.1 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 750V/60MOSICFETG4TO263-7
Hoja de datos
904En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 25.8 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 128 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 750V/11MOSICFETG4TO263-7
Hoja de datos
347En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 800

SMD/SMT D2PAK-7L N-Channel 1 Channel 750 V 104 A 11 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 750V/23MOSICFETG4TOLL
Hoja de datos
1.271En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

SMD/SMT MO-229-8 N-Channel 1 Channel 750 V 64 A 23 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 1200V/9MOSICFETG3TO247-4
Hoja de datos
511En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 120 A 11 mOhms - 20 V, + 20 V 4 V 234 nC - 55 C + 175 C 789 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 1200V/16MOSICFETG3TO247-4
Hoja de datos
466En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 107 A 21 mOhms - 20 V, + 20 V 4 V 218 nC - 55 C + 175 C 517 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 650V/30MOSICFETG3TO220
Hoja de datos
1.705En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 1200V/80MOSICFETG3TO24
Hoja de datos
1.218En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 33 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 254.2 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 650V/40MOSICFETG3TO263
Hoja de datos
210En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 800

SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 41 A 52 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 650V/30MOSICFETG3TO247
Hoja de datos
378En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 650V/40MOSICFETG3TO220
Hoja de datos
160En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 54 A 52 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 650V/80MOSICFETG3TO220
Hoja de datos
588En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 1200V/40MOSICFETG3TO247-3
Hoja de datos
234En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 65 A 45 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 1200V/80MOSICFETG3TO24
Hoja de datos
234En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 33 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 51 nC - 55 C + 175 C 254.2 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET