MC33GD3100 Advanced IGBT/SiC Gate Drivers

NXP Semiconductors MC33GD3100 Advanced IGBT/SiC Gate Drivers are single-channel gate drivers for insulated-gate bipolar transistors (IGBT) and Silicon Carbide (SiC) power devices. The NXP MC33GD3100 Gate Drivers feature advanced functional safety, control, and protection features, making it ideal for automotive and EV powertrain applications (fully AEC-Q100 grade 1 qualified). Integrated galvanic isolation and low on-resistance drive transistors provide high charging and discharging current, low dynamic saturation voltage, and rail-to-rail gate voltage control. Current and temperature sense minimizes IGBT stress during faults. Accurate and configurable under-voltage lockout (UVLO) protects while ensuring sufficient gate drive voltage headroom.

Resultados: 8
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Serie Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Número de canales Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Empaquetado
NXP Semiconductors Controladores de puerta con aislamiento galvánico IGBT & SiC GDIC for xEV traction inverters 80En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

GD3100 SMD/SMT WSOIC-32 1 Channel - 40 C + 125 C Tube
NXP Semiconductors Controladores de puerta con aislamiento galvánico IGBT & SiC GDIC for xEV traction inverters 58En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

GD3100 SMD/SMT WSOIC-32 1 Channel - 40 C + 125 C Tube
NXP Semiconductors Controladores de puerta con aislamiento galvánico IGBT & SiC GDIC for xEV traction inverters 84En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

GD3100 SMD/SMT WSOIC-32 1 Channel - 40 C + 125 C Tube
NXP Semiconductors Controladores de puerta con aislamiento galvánico IGBT & SiC GDIC for xEV traction inverters 84En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

GD3100 SMD/SMT WSOIC-32 1 Channel - 40 C + 125 C Tube
NXP Semiconductors Controladores de puerta con aislamiento galvánico IGBT & SiC GDIC for xEV traction inverters No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
Bobina: 1.000

GD3100 SMD/SMT WSOIC-32 1 Channel - 40 C + 125 C Reel
NXP Semiconductors Controladores de puerta con aislamiento galvánico IGBT & SiC GDIC for xEV traction inverters No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
Bobina: 1.000

GD3100 SMD/SMT WSOIC-32 1 Channel - 40 C + 125 C Reel
NXP Semiconductors Controladores de puerta con aislamiento galvánico IGBT & SiC GDIC for xEV traction inverters No en almacén Plazo producción 99 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
Bobina: 1.000

GD3100 SMD/SMT WSOIC-32 1 Channel - 40 C + 125 C Reel
NXP Semiconductors Controladores de puerta con aislamiento galvánico IGBT & SiC GDIC for xEV traction inverters No en almacén Plazo producción 99 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
Bobina: 1.000

GD3100 SMD/SMT WSOIC-32 1 Channel - 40 C + 125 C Reel