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NDSH30120C-F155

Name: onsemi NDSH30120C-F155
Brand: onsemi
SKU: 863-NDSH30120C-F155
Price: 10.47 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

863-NDSH30120C-F155

Fabr. N.º:

NDSH30120C-F155

Fabr.:

onsemi

Descripción:

Diodos Schottky de SiC SIC DIODE GEN2.0 1200V TO

Hoja de datos:

NDSH30120C-F155 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Pedido:: 900

Fecha prevista: 02/03/2026
Plazo de producción de fábrica:: 13

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	10,47 €	10,47 €
	7,33 €	73,30 €
	7,18 €	718,00 €
	6,24 €	2.808,00 €
	5,89 €	5.301,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Diodos Schottky de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247-2
Configuración:	Single
If - Corriente delantera:	38 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	1.2 kV
Vf - Tensión delantera:	1.75 V
Ifsm - Corriente de sobretensión delantera:	161 A
Ir - Corriente inversa:	5 uA
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Serie:	NDSH30120C-F155
Empaquetado:	Tube
Marca:	onsemi
Pd (disipación de potencia):	333 W
Tipo de producto:	SiC Schottky Diodes
Cantidad del paquete de fábrica:	450
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Nombre comercial:	EliteSiC
Vr - Tensión inversa:	1.2 kV

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Hoja de datos

NDSH30120C-F155 Hoja de datos

TARIC:: 8541100000
CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

D3 EliteSiC Diodes

onsemi D3 EliteSiC Diodes are a solution for applications requiring high-power PFC and output rectification. The onsemi D3 has a maximum voltage rating of 1200V. These diodes come in two package options, TO-247-2LD and TO-247-3LD, providing flexibility for various designs. The D3 EliteSiC Diodes are optimized for high-temperature operation with low series-resistance temperature dependency, ensuring consistent and reliable performance even under extreme conditions.

NDSH30120C-F155 Silicon Carbide Schottky Diode

onsemi NDSH30120C-F155 Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. NDSH30120C-F155 features no reverse recovery current, temperature-independent switching characteristics, and excellent thermal performance. System benefits include high efficiency, fast operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost. This EliteSiC diode offers a positive temperature coefficient and ease of paralleling. Applications include general purpose, SMPS, solar inverters, UPS, and power switching circuits.