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SIZF300DT-T1-GE3

Name: Vishay SIZF300DT-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SIZF300DT-T1-GE3
Price: 1.63 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

78-SIZF300DT-T1-GE3

Fabr. N.º:

SIZF300DT-T1-GE3

Fabr.:

Vishay Semiconductors

Descripción:

MOSFET 30V Vds; 16/-12V Vgs PowerPAIR F 3.3x3.3

Ciclo de vida:

Descatalogado:

Retirada prevista. El fabricante va a descatalogar este producto.

Hoja de datos:

SIZF300DT-T1-GE3 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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-,-- €

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-,-- €

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	1,63 €	1,63 €
	1,08 €	10,80 €
	0,792 €	79,20 €
	0,649 €	324,50 €
	0,568 €	568,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,469 €	1.407,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	PowerPAIR3x3-4
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	30 V
Id: corriente de drenaje continuo:	75 A, 141 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	4.5 mOhms, 1.84 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 16 V, - 12 V, 16 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	1 V, 1.1 V
Qg (carga de compuertas):	22 nC, 62 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	74 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	TrenchFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Vishay Semiconductors
Configuración:	Dual
Tiempo de caída:	7 ns, 12 ns
Transconductancia delantera: mín.:	60 S, 90 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	40 ns, 53 ns
Serie:	SIZ
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	23 ns, 30 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	17 ns, 25 ns
Peso unitario:	143,050 mg

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REACH Certificate (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Integrated MOSFET Solutions

Vishay Integrated MOSFET Solutions combine components into a single monolithic chip to increase power density and efficiency, simplify design, and reduce Bill of Material (BOM) costs. These single- and multi-die MOSFETs integrate features such as Schottky Barrier diodes and ESD protection. These MOSFETs feature low ON-resistance N- and P-channel TrenchFET® technologies and low thermal resistance.

PowerPAIR® Dual-MOSFETs

Vishay PowerPAIR® Dual-MOSFETs combine optimized combinations of MOSFETs in one compact package. The co-packaged Vishay PowerPAIR Dual-MOSFETs use less space and offer increased performance over separate discretes. By having the two MOSFETs already connected inside the PowerPAIR package, layouts are made easier and parasitic inductance from PCB traces are reduced, increasing efficiency.