NJVMJD45H11G

onsemi
863-NJVMJD45H11G
NJVMJD45H11G

Fabr.:

Descripción:
Transistores bipolares - BJT BIP DPAK PNP 8A 80V

Modelo ECAD:
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Plazo de producción de fábrica:
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
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Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
1,17 € 1,17 €
1,05 € 10,50 €
0,458 € 34,35 €

Empaquetado alternativo

Fabr. N.º Ref.:
Embalaje:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Disponibilidad:
En existencias
Precio:
1,31 €
Min:
1

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: Transistores bipolares - BJT
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
PNP
Single
8 A
80 V
5 V
1 V
20 W
90 MHz
- 55 C
+ 150 C
AEC-Q101
MJD45H11
Tube
Marca: onsemi
País de ensamblaje: VN
País de difusión: MY
País de origen: MY
Tipo de producto: BJTs - Bipolar Transistors
Cantidad del paquete de fábrica: 75
Subcategoría: Transistors
Peso unitario: 350 mg
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Atributos seleccionados: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

NJVMJD45H11G Bipolar Junction Transistor

onsemi NJVMJD45H11G Bipolar Junction Transistor (BJT) is a fast switching device with low collector-emitter saturation voltage. The electrical characteristics of NJVMJD45H11G transistor include 8A current, 80V voltage, and 20W power. This transistor is electrically similar to D44H/D45H series. onsemi NJVMJD45H11G is available in a straight lead version in plastic sleeves along with complementary pairs to simplify designs. This transistor is used for general-purpose power and switching devices. The applications include switching regulators, converters, and power amplifiers.