Etapa de potencia de medio puente GaN de 80 V LMG5200

La etapa de potencia de medio puente GaN de 80 V LMG5200 de Texas Instruments proporciona una solución de etapa de potencia integrada con FET de nitruro de galio (GaN) mejorados. El dispositivo consta de dos FET de GaN y 80 V accionados por un accionador de FET de GaN de alta frecuencia en una configuración de medio puente. Los FET de GaN ofrecen ventajas importantes para la conversión de potencia, ya que tienen una recuperación inversa cercana a cero y un C_ISS de capacitancia de entrada muy reducido. Todos los dispositivos están montados en una plataforma con paquete sin cables de unión, con una cantidad mínima de elementos parásitos en el paquete. Las entradas compatibles con la lógica TTL pueden soportar tensiones de entrada de hasta 12 V, independientemente de la tensión de V_CC. La técnica patentada de fijación de tensión tipo «bootstrap» garantiza que las tensiones de compuerta de los FET de GaN mejorados estén dentro de un intervalo de funcionamiento seguro.