QPD0011EVB1 Evaluation Board
Qorvo QPD0011EVB1 Evaluation Board is a demonstration and development platform for the Qorvo QPD0011 30W/60W 48V GaN (Gallium Nitride) on SiC (Silicon Carbide) HEMT (High-Electron-Mobility Transistor). The QPD0011 is an asymmetric dual-path power amplifier transistor for Doherty applications. The QPD0011 features a 3.3GHz to 3.6GHz frequency range and a maximum Doherty gain of 13.3dB. In each path is a single-stage amplifier transistor. QPD0011 can deliver an average power of 15W in a Doherty configuration.
NO SE HAN ENCONTRADO RESULTADOS..
Pruebe a modificar el término de búsqueda a continuación o visite nuestro centro de ayuda.
Pruebe a modificar el término de búsqueda a continuación o visite nuestro centro de ayuda.
Sugerencias de búsqueda
- Compruebe la ortografía del número de pieza o de las palabras clave
- Utilice menos palabras clave o diferentes
- Busque 1 número de pieza a la vez
- Aplique 1 filtro a la vez