RV8L002SN & RV8C010UN Small Signal MOSFETs

ROHM Semiconductor RV8L002SN and RV8C010UN Small Signal MOSFETs feature a leadless ultra-small package and exposed drain pad for excellent thermal conduction. The RV8L002SN and RV8C010UN MOSFETs also offer very fast switching, a 2.5V ultra-low voltage drive, and ESD protection up to 2kV.

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Empaquetado
ROHM Semiconductor MOSFET MOSFET Nch, 20V(Vdss), 1.0A(Id), (1.2V, 1.5V Drive)
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7.726En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 8.000

Si SMD/SMT DFN-1010-3 N-Channel 1 Channel 20 V 1 A 470 mOhms - 8 V, 8 V 1 V - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor MOSFET MOSFET Nch, 60V(Vdss), 0.2A(Id), (2.5V, 4.0V Drive)
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8.000Fecha prevista: 22/04/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 8.000

Si SMD/SMT DFN-1010-3 N-Channel 1 Channel 60 V 250 mA 2.4 Ohms - 20 V, 20 V 2.3 V - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Reel, Cut Tape