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CGHV96100F2

Name: MACOM CGHV96100F2
Brand: MACOM
SKU: 941-CGHV96100F2
Price: 1218.13 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

941-CGHV96100F2

Fabr. N.º:

CGHV96100F2

Fabr.:

MACOM

Descripción:

FET de GaN GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 100 Watt

Hoja de datos:

CGHV96100F2 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	1.218,13 €	1.218,13 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	MACOM
Categoría de producto:	FET de GaN
Restricciones de envío:	Este producto puede requerir documentación adicional para las exportaciones a los Estados Unidos.
RoHS:
Estilo de montaje:	Screw Mount
Empaquetado / Estuche:	440210
Polaridad de transistor:	N-Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	100 V
Id: corriente de drenaje continuo:	12 A
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	- 3 V
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Marca:	MACOM
Configuración:	Single
Kit de desarrollo:	CGHV96100F2-TB
Ganancia:	12.4 dB
Frecuencia operativa máxima:	9.6 GHz
Frecuencia operativa mínima:	7.9 GHz
Energía de salida:	131 W
Empaquetado:	Tray
Producto:	GaN HEMTs
Tipo de producto:	GaN FETs
Cantidad del paquete de fábrica:	10
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo de transistor:	GaN HEMT
Vgs (tensión de separación compuerta-fuente):	- 10 V to 2 V
Peso unitario:	65,235 g

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Hoja de datos

CGHV96100F2 Hoja de datos (PDF)

PCN

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: 3A001.b.3.b.2

CGHV96100F2 GaN HEMT

MACOM CGHV96100F2 Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistor (HEMT) on silicon carbide (SiC) substrate is an internally matched (IM) FET that offers excellent power-added efficiency compared to other technologies. GaN provides superior properties to silicon or gallium arsenide (GaAs), including higher breakdown voltage, saturated electron drift velocity, and thermal conductivity. These CGHV96100F2 GaN HEMTs also offer greater power density and wider bandwidths than GaAs transistors. This MACOM IM FET is available in a metal/ceramic flanged package for optimal electrical and thermal performance.

HEMT de GaN

Los HEMT (transistores de alta movilidad de electrones) de GaN (nitruro de galio) de Cree ofrecen una mayor densidad de potencia y anchos de banda más amplios en comparación con transistores de Si y GaAs. El GaN tiene propiedades superiores en comparación con el silicio o el arseniuro de galio, incluida una tensión de ruptura superior, mayor velocidad de desviación saturada de electrones y mayor conductividad térmica.
Más información

X-Band GaN HEMTs & MMICs

MACOM X-Band Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistors (HEMTs) and Monolithic Microwave Integrated Circuits (MMICs) come with various solution platforms. That includes MMICs, internally matched GaN on SiC transistors (IM-FETs), and transistors. These multi-stage MMICs offer a variety of power levels, high gain, and high efficiency, while IM-FETs feature 50Ω building blocks in support of higher power systems. The transistors offer highly accurate modeling support that provides maximum flexibility to optimize amplifier design. The GaN has superior properties compared to silicon or gallium arsenide (GaAs), including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity.