HMC8412 Low NF LNA (0.4GHz to 11GHz)

Analog Devices Inc. HMC8412 Low NF LNA (0.4GHz to 11GHz) are gallium arsenide (GaAs), monolithic microwave integrated circuit (MMIC), pseudomorphic high electron mobility transistor (pHEMT), low noise wideband amplifiers. The HMC8412 operates from 0.4GHz to 11GHz and provides a typical gain of 15.5dB, a 1.4dB (typical) noise figure, and a typical output third-order intercept (OIP3) of ≤33dBm, requiring only 60mA from a 5V drain supply voltage. The saturated output power (PSAT) of ≤20.5dBm (typical) allows the low noise amplifier (LNA) to function as a local oscillator (LO) driver for many ADI balanced, in-phase, and quadrature (I/Q) or image rejection mixers.

Resultados: 4
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Frecuencia de operación Voltaje operativo de suministro Corriente de suministro operativa Ganancia NF - Valor de ruido Tipo Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Tecnología P1dB - Punto de compresión OIP3 - Interceptación de tercer pedido Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Empaquetado
Analog Devices Amplificador de RF LNA 0.4 11 GHz 1.640En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

400 MHz to 11 GHz 5 V 60 mA 15 dB 1.5 dB Low Noise Amplifiers SMD/SMT LFCSP-6 GaAs 18 dBm 33 dBm - 40 C + 85 C Cut Tape
Analog Devices Amplificador de RF LNA 0.4 11 GHz 488En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 500

Low Noise Amplifiers SMD/SMT LFCSP-6 Reel, Cut Tape, MouseReel
Analog Devices Amplificador de RF .LNA 0.4 11 GHz 1En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

400 MHz to 11 GHz 5 V 60 mA 15 dB 1.5 dB Low Noise Amplifiers SMD/SMT GaAs 18 dBm 33 dBm - 40 C + 85 C Cut Tape
Analog Devices Amplificador de RF .LNA 0.4 11 GHz No en almacén Plazo producción 10 Semanas
Mín.: 500
Múlt.: 500
Bobina: 500

400 MHz to 10 GHz 5 V 60 mA 15 dB 1.5 dB Low Noise Amplifiers SMD/SMT GaAs 32 dBm - 55 C + 85 C Reel