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TM3B0020120A

Name: Coherent TM3B0020120A
Brand: Coherent
SKU: 508-TM3B0020120
Price: 35.99 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

508-TM3B0020120

Fabr. N.º:

TM3B0020120A

Fabr.:

Coherent

Descripción:

MOSFET de SiC 1200V SIC Mosfet 20mOHm 200C Temp TO247-4 AEC-Q101

Hoja de datos:

TM3B0020120A Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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1.020	Cotización

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Coherent
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247-4
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1.2 kV
Id: corriente de drenaje continuo:	115 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	24.3 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, + 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.8 V
Qg (carga de compuertas):	172 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 200 C
Pd (disipación de potencia):	660 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	Coherent
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	12 ns
Transconductancia delantera: mín.:	30 S
Empaquetado:	Tube
Producto:	SiC MOSFETS
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	39 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tipo:	MOSFET
Tiempo típico de retraso de apagado:	38 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	17 ns

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Atributos seleccionados: 0

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Hoja de datos

TM3B0020120A Hoja de datos (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

TM3x00 1200V SIC MOSFETs

Coherent TM3x00 1200V SIC MOSFETs feature low R_DS(on), superior thermal performance, and industry-leading avalanche capability, ensuring exceptional efficiency and versatility for automotive, industrial, and aerospace systems. The TM3x00 devices are built on Coherent's advanced Gen3+ technology platform and implement fast switching via ultra-low gate resistance. The TM3x00 1200V MOSFETs also provide very low-temperature invariant switching losses in TO247-4L, TSPAK, and TO263-7L package options. These devices are AEC-Q101 qualified at +200°C junction temperature and are proven in AS9100-rated aerospace applications.