Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Algunas funciones de esta página no funcionarán a menos que inicie sesión.

Volver a Resultados de la búsqueda

¿Ve algún error?

RH7L04CBJFRATCB

Name: ROHM Semiconductor RH7L04CBJFRATCB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RH7L04CBJFRATCB
Price: 1.69 EUR
Availability: InStock

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

755-RH7L04CBJFRATCB

Fabr. N.º:

RH7L04CBJFRATCB

Fabr.:

ROHM Semiconductor

Descripción:

MOSFET DFN8 P CHAN 60V

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

RH7L04CBJFRATCB Hoja de datos

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Más información

Más información sobre ROHM Semiconductor RH7L04CBJFRATCB

En existencias: 630

Existencias:: 630 Puede enviarse inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.
Plazo de producción de fábrica:: 16 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	1,69 €	1,69 €
	1,08 €	10,80 €
	0,73 €	73,00 €
	0,58 €	290,00 €
	0,553 €	553,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,47 €	1.410,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	MOSFET
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	DFN-8
Polaridad de transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	60 V
Id: corriente de drenaje continuo:	36 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	41 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 5 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.5 V
Qg (carga de compuertas):	35 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	62 W
Modo canal:	Enhancement
Cualificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	32 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	18 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	125 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	13 ns

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla

Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

RH7L04CBJFRATCB Hoja de datos

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.

RH7L04CBJFRA -60V P-Channel Power MOSFET

ROHM Semiconductor RH7L04CBJFRA -60V P-Channel Power MOSFET is a -60V drain-source voltage (V_DSS) and ±36A continuous drain current (I_D) rated automotive-grade MOSFET that is AEC-Q101 qualified. The drain-source on-state resistance [R_DS(ON)] is 41mΩ (max.) (V_GS = -10V, I_D = -20A) and comes in a 3.3mm x 3.3mm DFN-8 (DFN3333T8LSAB) package. The ROHM Semiconductor RH7L04CBJFRA MOSFET is ideal for Advanced Driver Assistance Systems (ADAS), information, lighting, and body applications.