MDmesh DK5 MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh DK5 MOSFETs are very-high voltage fast recovery diodes with a 950V to 1050V breakdown voltage. The DK5 has a very low gate charge, as low as 45nC, and a reverse recovery time (trr) of 250ns (typ.). This makes the MDmesh DK5 ideal for ZVS LLC resonant converters in high-power applications. These applications include industrial welders, plasma generators, high-frequency induction melting/heating, and X-ray machines.

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado

STMicroelectronics MOSFET N-channel 950 V, 0.120 Ohm typ., 38 A MDmesh DK5 Power MOSFET in a TO-247 long l
Hoja de datos
600En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 950 V 38 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 100 nC - 55 C + 150 C 450 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFET N-channel 950 V, 0.120 Ohm typ., 38 A MDmesh DK5 Power MOSFET in a TO-247 packag
Hoja de datos
697En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 950 V 38 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 100 nC - 55 C + 150 C 450 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 1050 V, 0.110 Ohm typ., 46 A MDmesh DK5 Power MOSFET in a Max247 packa
Hoja de datos
460En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole Max247-3 N-Channel 1 Channel 1.05 kV 44 A 100 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 175 nC - 55 C + 150 C 625 W Enhancement MDmesh Tube