Resultados: 5
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Configuración If - Corriente delantera Vrrm - Tensión inversa repetitiva Vf - Tensión delantera Ifsm - Corriente de sobretensión delantera Ir - Corriente inversa Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Serie Empaquetado
Infineon Technologies Diodos Schottky de SiC SIC DISCRETE 1.419En existencias
1.920Fecha prevista: 30/07/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-2 Single 10 A 1.2 kV 1.4 V 140 A 6 uA - 55 C + 175 C IDWD10G120C5 Tube
Infineon Technologies Diodos Schottky de SiC SIC DISCRETE 984En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 60

Through Hole TO-247-2 Single 40 A 1.2 kV 1.4 V 290 A 23 uA - 55 C + 175 C IDWD40G120C5 Tube
Infineon Technologies Diodos Schottky de SiC SIC DISCRETE 299En existencias
1.000Fecha prevista: 01/10/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SMD/SMT Single 2 A 1.2 kV 1.65 V 18 A 50 uA - 55 C + 175 C IDKXG120C5 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Diodos Schottky de SiC SIC DIODES 412En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SMD/SMT D2PAK-2 (TO-263-2) Single 8 A 650 V 1.5 V 68 A 400 nA - 55 C + 175 C XDK08G65 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Diodos Schottky de SiC SIC DISCRETE Plazo producción 45 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

SMD/SMT Single 16 A 1.2 kV 1.95 V 140 A 80 uA - 55 C + 175 C IDK16G120C5 Reel, Cut Tape