1200V PIM IGBT Modules

Infineon 1200V PIM IGBT Modules offer TRENCHSTOP™ IGBT7 and EC7 diode technology based on the latest micro-pattern trenches technology. This technology strongly reduces losses and provides a high level of controllability. The cell concept is characterized by implementing parallel trench cells separated by sub-micron mesas compared to the formerly used square trench cells. The chip is specially optimized for industrial drive applications and solar energy systems, which means much lower static losses, higher power density, and softer switching. A significant increase in power density can be obtained by raising the allowed maximum operating temperature up to 175°C in the Infineon 1200V PIM IGBT Modules.

Resultados: 25
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Producto
Configuración
Voltaje colector-emisor VCEO máx.
Voltaje de saturación colector-emisor
Corriente continua del colector a 25 C
Corriente de fuga puerta-emisor
Pd (disipación de potencia)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Empaquetado
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 75 A PIM IGBT module
Hoja de datos
10En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.55 V 75 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT LOW POWER ECONO
Hoja de datos
10En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.55 V 75 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 25 A PIM three phase input rectifier IGBT module
Hoja de datos
17En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.85 V 25 A 100 nA 160 W - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 25 A PIM IGBT module
Hoja de datos
12En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.6 V 25 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 50 A PIM IGBT module
Hoja de datos
10En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.5 V 50 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 50 A PIM IGBT module
Hoja de datos
21En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.5 V 50 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 25 A PIM IGBT module
Hoja de datos
1En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.55 V 75 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 75 A PIM IGBT module
Hoja de datos
5En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.55 V 75 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FP100R12N3T7B11BPSA1
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 100 A PIM IGBT module
Hoja de datos
2En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.5 V 100 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FP25R12W2T7BPSA1
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 25 A PIM IGBT module
Hoja de datos
4En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.6 V 25 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 150 A PIM IGBT module
Hoja de datos
4En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.55 V 150 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT LOW POWER ECONO
Hoja de datos
3En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.55 V 150 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT LOW POWER ECONO
Hoja de datos
2En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.55 V 200 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FP35R12N2T7BPSA2
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 35 A PIM IGBT module
Hoja de datos
3En existencias
30Fecha prevista: 16/07/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.6 V 35 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FP35R12W2T7BPSA1
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 35 A PIM IGBT module
Hoja de datos
14En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.6 V 35 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FP15R12W1T7PB11BPSA1
Infineon Technologies Módulos IGBT EASY
Hoja de datos
14En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.6 V 15 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FP75R12N2T4BPSA1
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 75 A PIM three phase input rectifier IGBT module
Hoja de datos
6En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.85 V 75 A 100 nA - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies FP10R12W1T7PB11BPSA1
Infineon Technologies Módulos IGBT EASY
Hoja de datos
4En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.6 V 10 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FP15R12W1T7PBPSA1
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 15 A PIM IGBT module
Hoja de datos
20En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.6 V 15 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FP15R12W1T7BOMA1
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 15 A PIM IGBT module
Hoja de datos
24Fecha prevista: 27/07/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.6 V 15 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT LOW POWER ECONO
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.5 V 100 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 50 A PIM IGBT module
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.5 V 50 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 150 A PIM IGBT module
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.55 V 150 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FP10R12W1T7BOMA1
Infineon Technologies Módulos IGBT EASY
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.6 V 10 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FP200R12N3T7BPSA1
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 200 A PIM IGBT module
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.55 V 200 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray