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STGWA100H65DFB2

Name: STMicroelectronics STGWA100H65DFB2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGWA100H65DFB2
Price: 4.47 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

511-STGWA100H65DFB2

Fabr. N.º:

STGWA100H65DFB2

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

IGBT Trench gate field-stop, 650 V, 100 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 lon

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	IGBT
RoHS:
Empaquetado / Estuche:	TO-247-3
Estilo de montaje:	Through Hole
Configuración:	Single
Voltaje colector-emisor VCEO máx.:	650 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	1.55 V
Voltaje puerta-emisor máximo:	- 20 V, 20 V
Corriente continua del colector a 25 C:	145 A
Pd (disipación de potencia):	441 W
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Corriente de fuga puerta-emisor:	250 nA
Tipo de producto:	IGBT Transistors
Cantidad del paquete de fábrica:	600
Subcategoría:	IGBTs
Peso unitario:	6,100 g

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Hoja de datos

STGWA100H65DFB2 Hoja de datos (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

STGWA100H65DFB2 HB2 IGBT

STMicroelectronics STGWA100H65DFB2 HB2 IGBT is an evolution of the advanced proprietary trench gate field-stop structure. The HB2 series optimizes conduction with premium V_CE(sat) at low current values and reduced switching energy. The STGWA100H65DFB2 HB2 IGBT features a low V_CE(sat) of 1.55V (typical) at an I_C of 100A.