1200V SiC MOSFETs

Nexperia 1200V SiC MOSFETs are housed in 3-pin TO-247-3 and 4-pin TO-247-4 for through-hole PCB mounting. The Nexperia MOSFETs are ideal for high-power and high-voltage industrial applications thanks to excellent temperature stability and fast switching speed. These applications include E-vehicle charging infrastructures, photovoltaic inverters, and motor drives.

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Nexperia MOSFET de SiC TO247 1.2KV 36A N-CH SIC
Hoja de datos
255En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 120 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 44 nC - 55 C + 175 C 202 W Enhancement
Nexperia MOSFET de SiC TO247 1.2KV 66A N-CH SIC
Hoja de datos
227En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 66 A 60 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 84 nC - 55 C + 175 C 319 W Enhancement
Nexperia MOSFET de SiC NSF040120L4A1/SOT8071/TO247-4L
Hoja de datos
15En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 30

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 53 A 60 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 81 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement