AS6C8008B & AS6C8016B Super Low Power CMOS SRAM

Alliance Memory AS6C8008B & AS6C8016B Super Low Power CMOS SRAM is a low-power CMOS static random access memory. The devices are organized as 524,288 words by 8- or 16-bits. The memory is fabricated using very high-performance, high-reliability CMOS technology. Its standby current is stable within the range of operating temperature.

Resultados: 2
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tamaño de memoria Organización Tiempo de acceso Tipo de interfaz Tensión del suministro - Máx Tensión del suministro - Mín Corriente de suministro (máx.) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Empaquetado
Alliance Memory SRAM LP SRAM, 8Mb, 512K x 16, 2.7 - 3.6V, 44pin TSOP II, 45ns, Industrial Temp - Tray 110En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
8 Mbit 512 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-II-44 Tray
Alliance Memory SRAM LP SRAM, 8Mb, 1M x 8, 2.7 - 3.6V, 44pin TSOP II, 45ns, Industrial Temp - Tray 54En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
8 Mbit 1 M x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-II-44 Tray