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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Polaridad de transistor
Tecnología
Id: corriente de drenaje continuo
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Ganancia
Energía de salida
Temperatura operativa máxima
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Empaquetado
Ampleon Transistores RF MOSFET BLF981S/SOT467/TRAY
Hoja de datos
55En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

N-Channel LDMOS 1.4 uA 108 V 24 dB 170 W + 225 C SMD/SMT SOT-467B-2 Tray
Ampleon Transistores RF MOSFET BLF981/SOT467/TRAY
Hoja de datos
31En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

N-Channel LDMOS 1.4 uA 108 V 24 dB 170 W + 225 C SMD/SMT SOT-467C-2 Tray