Resultados: 8
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 800V 1.9A DPAK-2
Hoja de datos
8.754En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 1.9 A 2.8 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 800V 5.7A DPAK-2
Hoja de datos
2.101En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 5.7 A 950 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 31 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER
Hoja de datos
648En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 5.7 A 2.19 Ohms - 20 V, 20 V 3 V 31 nC - 40 C + 150 C 32 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER
Hoja de datos
216En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 16.7 A 250 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 91 nC - 40 C + 150 C 35 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER
Hoja de datos
121En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 3.9 A 1.22 Ohms - 20 V, 20 V 2.1 V 23 nC - 40 C + 150 C 31 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER
Hoja de datos
159En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 10.8 A 460 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 64 nC - 40 C + 150 C 34 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER
Hoja de datos
107En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 5.7 A 2.19 Ohms - 20 V, 20 V 3 V 45 nC - 40 C + 150 C 32 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 800V 3.9A DPAK-2
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 13 Semanas
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 3.9 A 1.4 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 23 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel