MOSFET de canal N de 600 V

Los MOSFET de canal N de 600 V de Micro Commercial Components (MCC) se basan en la tecnología Super-Junction (SJ) que ofrece un bajo RDS (on) e integra un diodo de recuperación rápida para aumentar la eficiencia. Estos diodos de recuperación rápida integrados garantizan un tiempo de recuperación rápido, lo que optimiza el rendimiento de conmutación general y la fiabilidad de los circuitos. Los MOSFET de canal N de 600 V ofrecen un bajo RDS(on) de 193 mΩ, lo que garantiza unas pérdidas de potencia mínimas. Estos MOSFET son una actualización perfecta para los diseños existentes y están disponibles en encapsulados aislados (TO-220F) y no aislados (TO-220AB). Los MOSFET de canal N de 600 V son ideales para fuentes de alimentación de conversión de potencia, convertidores CA-CC, controles de motor, accionamiento de motores y conmutación de alta tensión.

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Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Empaquetado
Micro Commercial Components (MCC) MOSFET N-CHANNEL MOSFET,TO-220F 1.880En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220F-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12.3 A 193 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 30 nC - 55 C + 150 C 62.5 W Enhancement Bulk
Micro Commercial Components (MCC) MOSFET N-CHANNEL MOSFET,TO-220AB(H) 1.941En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 600 V 17.9 A 193 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 30 nC - 55 C + 150 C 138 W Enhancement Bulk