Transistores RF de silicio y banda ancha NPN BFU5x

Los transistores RF de silicio y banda ancha NPN BFU5x de NXP Semiconductor son transistores RF de ruptura alta, poco ruido y con calificación AEC-Q101 aptos para aplicaciones de señal corta a potencia media de hasta 2 GHz. Con un rendimiento excepcional, los transistores RF BFU5x generan 20 dB de ganancia máxima y un ruido de 0,7 dB a 900 MHz. Estos dispositivos permiten una mejor recepción de las señales a baja y media potencia por lo que los receptores RF pueden funcionar de forma más adecuada en entornos ruidosos. Cuando se utilizan como amplificadores u osciladores (poco ruido), los transistores RF BFU5x admiten tensiones de alimentación y de ruptura altas, lo que permite que estos dispositivos sean muy adecuados para aplicaciones de automoción, comunicación e industriales. La familia de productos está disponible en una amplia gama de paquetes estándar de la industria, entre los que se incluyen los SOT323, SOT23 y SOT143.
Más información

Resultados: 9
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Serie Tipo de transistor Tecnología Polaridad de transistor Frecuencia de operación Colector CC/Ganancia base hfe Min Voltaje colector-emisor VCEO máx. Voltaje emisor-base VEBO Corriente continua del colector Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Configuración Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Empaquetado
NXP Semiconductors Transistores bipolares RF Dual NPN wideband Silicon RFtransistor 20.826En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

BFU530W Bipolar Wideband Si NPN 11 GHz 60 12 V 2 V 40 mA - 40 C + 150 C Single SMD/SMT SOT-323-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors Transistores bipolares RF NPN wideband silicon RF transistor 952En existencias
111.000Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

BFU520W Bipolar Wideband Si NPN 10 GHz 60 12 V 2 V 30 mA - 40 C + 150 C Single SMD/SMT SOT-323-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors Transistores bipolares RF NPN wideband silicon RF transistor 350En existencias
24.000Fecha prevista: 23/02/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

BFU520Y Bipolar Wideband Si NPN 10 GHz 60 12 V 2 V 30 mA - 40 C + 150 C Dual SMD/SMT SOT-363-6 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors Transistores bipolares RF NPN wideband silicon RF transistor 122En existencias
3.000Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

BFU530 Bipolar Wideband Si NPN 11 GHz 60 12 V 2 V 40 mA - 40 C + 150 C Single SMD/SMT SOT-143B-4 Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors Transistores bipolares RF NPN wideband silicon RF transistor 1.655En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

BFU530XR Bipolar Wideband Si NPN 11 GHz 60 12 V 2 V 40 mA - 40 C + 150 C Single SMD/SMT SOT-143R-4 Reel, Cut Tape

NXP Semiconductors Transistores bipolares RF NPN wideband silicon RF transistor
23.000Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

BFU590Q Bipolar Wideband Si NPN 8 GHz 60 12 V 2 V 200 mA - 40 C + 150 C Single SMD/SMT SOT-89-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors Transistores bipolares RF NPN wideband silicon RF transistor
84.000Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

BFU550 Bipolar Wideband Si NPN 11 GHz 60 12 V 2 V 50 mA - 40 C + 150 C Single SMD/SMT SOT-143B-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors Transistores bipolares RF Dual NPN wideband Silicon RFtransistor
5.850Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

BFU550W Bipolar Wideband Si NPN 11 GHz 60 12 V 2 V 50 mA - 40 C + 150 C Single SMD/SMT SOT-323-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors Transistores bipolares RF NPN wideband silicon RF transistor No en almacén Plazo producción 99 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

BFU530X Bipolar Wideband Si NPN 11 GHz 60 12 V 2 V 40 mA - 40 C + 150 C Single SMD/SMT SOT-143B-4 Reel, Cut Tape